Sistemas de Memoria Secundaria/Soportes Electrónicos

Los soportes electrónicos actuales están basados prácticamente todos en memorias ROM FLASH NAND, cuyas ventajas superan los inconvenientes de las mismas. Los distintos soportes se distinguen por varios factores:

• Calidad de la memoria.
• Interfaz.
• Disposición de la circuitería.
• Capacidad de dicha memoria.

Calidad y capacidad

Para la fabricación de la memoria flash nand se utilizan tres técnicas distintas, cada una de las cuales varía la capacidad de las celdas de memoria y también la velocidad a la que son accedidas.

• Memorias SLC (Single Level Cell) Memorias de un sólo nivel: Un sólo bit por celda. Esto aumenta la calidad, la velocidad y el precio de la memoria.
• Memorias MLC (Multi Level Cell) Memorias multinivel. Alamacenan dos bits por celda, abaratando su funcionamiento. Son las más utilizadas.
• Memorias TLC (Triple Level Cell) Almacenan 'tres bits' por celda. Son las más lentas y de peor calidad.

Interfaz

La interfaz para este tipo de memorias es también un límite real. La capacidad de un bus USB, un lector SD o un conector SATA limitan la capacidad real a la que esta memoria puede funcionar.

Tecnologías utilizadas

Los discos SSD utilizan por ejemplo una tecnología que permite leer y escribir en bloque de forma simultánea múltiples celdas, aumentando su velocidad notablemente.