Diferencia entre revisiones de «Mantenimiento y Montaje de Equipos Informáticos/Desarrollo/ToDo»
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Línea 146:
El proceso de escritura datos consiste en seleccionar una '''página''' NAND y aplicar una alta corriente a la puerta flotante y guardando los resultados provenientes de la caché del dispositivo. Este proceso produce un deterioro (tunelizado ([https://www.sciencedirect.com/topics/chemistry/fowler-nordheim-tunneling Fowler-Nordheim tunnelling]) desde el sustrato a la capa flotante a través del aislante) de la celda NAND. No existe una unidad menor para escribir y leer puesto que la controladora direcciona con páginas.
====Borrado de datos (en bloques) y Recolección de elementos no utilizados (Recolección de basura)
[[File:NAND-borrado.svg|thumb|left|borrado de bloques NAND]]
El proceso de borrar datos consiste en expulsar los electrones de la puerta flotante y tunelizarlos ([https://www.sciencedirect.com/topics/chemistry/fowler-nordheim-tunneling Fowler-Nordheim tunnelling]) hasta el sustrato a través de la capa aislante. Se realiza al aplicar un voltaje más alto al sustrato. Con esto las celdas se deterioran debido al estrés de la tensión. La celda vuelve a su estado natural.
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