Diferencia entre revisiones de «Mantenimiento y Montaje de Equipos Informáticos/Desarrollo/ToDo»

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Línea 48:
'''Degradación de la celda''': La actividad eléctrica de borrado desgasta la capa aislante de la celda con el paso del tiempo. Por lo tanto, cada celda tiene un tiempo de vida finito, medido en ciclos de programado y borrado (P/E cycles) y el número de bits que almacena cada celda. Además el almacenamiento NAND requiere de unos procesos adicionales que realiza la controladora NVMe: detectar bloques defectuosos, recolector de basura y nivelación del desgaste de las celdas.
 
====Tipos Celdas NAND<ref>[https://www.reneelab.com/difference-slc-mlc-tlc.html «Differences Among SSD NAND Flash Memory: QLC/SLC/MLC/TLC»] John Weaver .</ref>====
====Tipos Celdas NAND====
[[File:NAND-tipos.svg|thumb|NAND-tipos]]
* '''SLC''' (Single Level Cell). Cuando se detecta cualquier corriente entre la fuente y el drenaje, se puede saber que la celda está escrita o no. Por tanto, solo tendrá dos estados (escritos o borrados) y se representa con un bit.